設備可制備小至單原子,大至直徑大于10nm團簇
無質量選擇條件下,團簇直徑分布小于±10%
可制備大部分金屬,部分半導體、絕緣體團簇
可配備蒸發(fā)源、磁控濺射、火花燒蝕等產生源
液氮、水冷;氣壓、溫度可控;冷凝距離可調
兼容金屬、玻璃、陶瓷、聚合物等襯底或粉末
典型金屬團簇束流>1nA;其他團簇束流>100pA
精確可調,可實現團簇軟著陸沉積、高能撞擊
功能軟件控制,運行日志存檔,實驗參數調用
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